根据中国证监会公布的《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于制造业中的计算机、通信和其他电子设备制造业（行业代码：C39）。

　　第三代半导体氮化镓射频微波器件具有高输出功率、高效率、大带宽、低热阻强等优良特性，在移动通信系统中作为主要的射频器件，得到越来越广泛的应用。博威公司主营业务为氮化镓通信基站射频芯片及器件、微波点对点通信射频芯片与器件的设计、封装、测试和销售，产品主要用于5G通信基站及点对点通信的信号发射与接收。目前，公司在氮化镓基站功放领域市场占有率国内第一，产品技术与质量均达到国内领先、国际先进水平，在我国“新基建”——5G基站建设中发挥了重要作用，取得了良好的经济效益与社会效益，带活业内产业链上下游发展与优化升级。

　　据Yole报告统计分析，2022年全球 SiC功率半导体市场规模约为 17.9亿美元，其中新能源汽车相关应用占比达75%；预计到2028年全球SiC功率半导体市场规模接近90亿美元，新能源汽车相关应用占比高达85%，每年以超34%年均复合增长率快速增长，市场潜力巨大。公司碳化硅功率产品基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面的有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基 IGBT 功率产品的覆盖与替代。

　　电子陶瓷业务：人工智能、工业互联网、智能网联汽车等新一代信息技术加速集成创新与突破，推动经济社会各领域数字化、网络化、智能化转型不断深化，数字经济规模不断扩张、经济贡献不断增强。全球新一轮 AI技术爆发带动算力需求激增，根据中国信通院《中国算力发展指数》预计未来五年全球算力规模将以超过50%的速度增长，到2025年全球计算设备算力总规模将超过3 ZFlops，至2030年将超过20 ZFlops。算力增长必将推动了数字经济蓬勃发展，带动半导体、通信、消费电子、新能源汽车等行业持续增长，以光模块为代表的电子元器件和半导体设备等行业市场规模将持续稳步上升。公司电子陶瓷系列产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备等领域。公司开创了我国光通信器件陶瓷外壳产品领域，持续创新材料和精益技术，已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商。中瓷电子已入选国务院国资委创建世界一流专业领军示范企业、工信部第八批制造业单项冠军企业和专精特新“小巨人”企业、河北省科技领军企业，建有国家企业技术中心。2023年公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度，已开发了氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台，开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平并通过用户验证，已批量应用于国产半导体设备中，精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。

　　氮化镓通信基站射频芯片业务覆盖芯片生产制造环节，主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯片。芯片的性能、可靠性决定了下游器件、模组等应用产品的品质，是产业链的核心。氮化镓通信基站射频芯片业务主要产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖通信主要频段400MHz~6.0GHz的典型频段，功率覆盖2-1000W的系列芯片。

　　2023年 10月，中瓷电子完成重大资产重组并募集配套资金行为，成为拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企业。

　　氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。微波点对点通信射频芯片与器件主要应用于点对点通信数据无线回传系统。

　　碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面的有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基 IGBT 功率产品的覆盖与替代。

　　电子陶瓷业务：通信器件用电子陶瓷外壳、工业激光器用电子陶瓷外壳、消费电子陶瓷外壳及基板、汽车电子件、精密陶瓷零部件，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备等领域。

　　氮化镓通信基站射频芯片：分为大、小功率氮化镓通信基站射频芯片两种，覆盖芯片生产制造环节，主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯片。

　　建立了完善的研发平台，在氮化镓通信基站、微波点对点通信射频芯片与器件领域具备较强的技术基础，以及产业化批量生产工艺与能力。

　　在研发平台方面，建立了 5G 大功率基站氮化镓射频器件平台、5G MIMO 基站氮化镓射频器件平台、微波点对点通信射频器件平台、半导体器件可靠性技术研究平台，获批建设有“河北省通信基站用第三代半导体产业技术研究院”、“第三代半导体功率器件和微波射频器件河北省工程研究中心”。另外，建立了完善的设计规范与标准，配备了相应的试验设备，有效支撑公司在相应领域的业务拓展、技术升级、质量提升等。

　　技术基础方面，突破了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件领域设计、封装、测试、可靠性和质量控制等环节关键技术，拥有核心自主知识产权，实现产品系列化开发与产业化。批量生产能力方面，已经具备氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件批量生产能力并不断推进自动化产线建设，相关产品的产能和供货能力较强。

　　公司是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，进一步抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、 轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的碳SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪002594）、珠海零边界等主要客户的认可，在终端市场具有技术先进性和充分竞争力。

　　在材料方面，公司掌握多种陶瓷体系的知识产权，包括系列化氧化铝陶瓷和系列化氮化铝陶瓷以及与其相匹配的金属化体系。

　　在设计方面，公司拥有先进的设计手段和设计软件平台，可以对陶瓷外壳进行结构、布线、电、热、可靠性等进行优化设计。公司已经可以设计开发800Gbps光通信器件外壳，与国外同类产品技术水平相当；具备氧化铝、氮化铝等陶瓷材料与新型金属封接的热力学可靠性仿真能力，满足新一代无线功率器件外壳散热和可靠性需求。

　　在工艺技术方面，公司具有全套的多层陶瓷外壳制造技术，包括原材料制备、流延、冲孔冲腔、金属化印刷、层压、热切、烧结、镀镍、钎焊、镀金等技术。公司建立了完善的氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷加工工艺平台，建立了以流延成型为主的氧化铝多层陶瓷工艺，以厚膜印刷为主的高温厚膜金属化工艺，以高温焊料为主的钎焊组装工艺，以电镀、化学镀为主的镀镍、镀金工艺，建立了完善的精密陶瓷零部件制造工艺平台。

　　在批量生产能力方面，公司已经具备高端电子陶瓷外壳批量生产能力并不断推进自动化产线建设，相关产品的产能和供货能力较强。

　　在车用加热器方面，公司已具备完整的汽车电子产品制造工艺，包括陶瓷测温环的生产制造、加热元器件制备、产品一体化注塑、自动定位焊接、自动化组装流水线、真空灌胶密封以及自动化气密性和电性能检测等技术。

　　氮化镓通信基站射频芯片业务主要产品为4/6英寸氮化镓射频芯片，是国内少数实现批量供货主体之一。氮化镓通信基站射频芯片业务覆盖芯片生产制造环节，主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯片。芯片的性能、可靠性决定了下游器件、模组等应用产品的品质，是产业链的核心。氮化镓通信基站射频芯片业务主要产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖通信主要频段400MHz~6.0GHz的典型频段，功率覆盖2-1000W的系列芯片。

　　第三代半导体器件及模块：作为国内领先的氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件供应商，与客户深入合作，产品性能达到国内领先、国际先进水平，质量可靠，行业知名度较高，在业内树立了企业良好的市场形象，品牌知名度和信誉度得到用户的高度认可。碳化硅功率产品的相关研发、设计、制造、封装测试、销售等方面均可独立运行的完整产业链。碳化硅功率模块主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，目前已与比亚迪、格力等重要客户签订供货协议并供货。

　　电子陶瓷材料及元件：电子陶瓷产品质量可靠，行业知名度较高。经过多年的积累，公司已成为大批国内外电子行业领先企业的供应商，甚至是核心供应商，并与其建立了长期、稳定的合作关系。公司客户对供应商的资质要求普遍较高，认证过程较为严格，认证周期长。公司与现有核心客户建立了长期战略合作关系，为未来发展奠定了良好的市场基础。

　　作为国内领先的氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件供应商，公司在细分领域市场占有率国内第一，产品技术与质量均达到国内领先、国际先进水平，与客户深入合作，行业知名度较高，在业内树立了企业良好的品牌形象，品牌知名度和信誉度得到用户的高度认可。

　　公司专业从事第三代半导体氮化镓和碳化硅芯片、器件的设计、生产与销售，同时开展第三代半导体封装、模块、科技服务等业务。氮化镓射频功放芯片技术水平达到国际领先，并已在世界主流通信公司得到规模应用；碳化硅MOSFET技术水平达到国际先进，并已在新能源汽车、充电桩等领域开始大批量应用。国联万众公司是国家第三代半导体创新技术中心（北京）主要建设和运营主体单位，并同时拥有国家“双创”支撑平台、众创空间、中关村硬科技孵化平台、北京市科技企业孵化器等资质。公司投资建设了第三代半导体材料及应用联合创新基地，先后引进了多家第三代半导体产业链上下游骨干企业，形成第三代半导体产业集聚效应，助力北京市第三代半导体产业高质量发展。

　　作为国内电子陶瓷行业的领先企业，电子陶瓷市场份额居国内行业前列，并致力于发展成为世界一流的电子陶瓷产品供应商。作为电子陶瓷行业的领跑者，公司积极参与品牌经营，重视品牌建设，树立了企业良好的市场形象。公司成立以来，品牌知名度和信誉度逐渐得到用户的高度认可，陆续与多家世界知名光通信生产厂家建立了良好的合作关系。在陶瓷外壳系列产品方面，公司是国内能与国际知名企业进行竞争的少数厂商之一，是我国电子陶瓷外壳的主要代表企业，是国务院国资委创建世界一流专业领军示范企业、工信部第八批制造业单项冠军企业和专精特新“小巨人”企业，在国内电子陶瓷行业具有重要影响力。

　　自成立以来，公司始终专注于主营业务的发展，坚定走专业化道路，制定了清晰的发展战略。2023年公司重大资产重组完成后，上市公司保持标的资产原有经营管理团队的相对独立和稳定，并在业务层面授予其较大程度的自主度和灵活性，以保证交易完成后主营业务的稳定可持续发展。同时，上市公司选派适格人员进入子公司董事会、监事会、高级管理层及财务部门，促进子公司规范运作。上市公司利用多元化的员工激励方式，推动核心团队的建设、健全人才培养机制，加强对优秀人才的吸引。